聚焦行業(yè)前沿!宏微科技GaN器件賦能人形機(jī)器人發(fā)展
12月4日,2025行家說三代半年會——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇在深圳隆重舉辦。江蘇宏微科技股份有限公司CTO、上海宏微愛賽半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理崔崧應(yīng)邀出席,與行業(yè)精英齊聚一堂,共話寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展新機(jī)遇。
論壇期間,崔崧發(fā)表了《氮化鎵器件賦能人形機(jī)器人關(guān)節(jié)電機(jī)發(fā)展》的主題報(bào)告,憑借深厚的技術(shù)積淀和對行業(yè)趨勢的敏銳洞察,向現(xiàn)場嘉賓分享了GaN(氮化鎵)技術(shù)在人形機(jī)器人應(yīng)用中的獨(dú)特優(yōu)勢及最新進(jìn)展,引發(fā)了廣泛關(guān)注與熱烈討論。
GaN器件:人形機(jī)器人關(guān)節(jié)電機(jī)的性能“加速器”

人形機(jī)器人的關(guān)節(jié)電機(jī)對器件的高頻、高效和高功率密度要求極為嚴(yán)苛。而GaN器件憑借自身卓越的材料特性,正成為突破關(guān)節(jié)電機(jī)性能瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)。
在高頻特性方面,GaN器件的開關(guān)速度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基器件,能夠顯著提升關(guān)節(jié)電機(jī)的響應(yīng)速度,讓機(jī)器人動(dòng)作更敏捷、精準(zhǔn),更好地適應(yīng)復(fù)雜場景下的靈活運(yùn)動(dòng)需求。高效特性則意味著GaN器件在能量轉(zhuǎn)換過程中損耗更低,可有效提高關(guān)節(jié)電機(jī)的能效,延長機(jī)器人的續(xù)航時(shí)間,這對于依賴電池供電的人形機(jī)器人而言至關(guān)重要。此外,高功率密度使GaN器件在更小的體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出,有助于關(guān)節(jié)電機(jī)的小型化、輕量化設(shè)計(jì),進(jìn)一步優(yōu)化人形機(jī)器人的整體結(jié)構(gòu)與運(yùn)動(dòng)性能。
宏微愛賽:積極布局,助力下一代機(jī)器人發(fā)展
面對人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)的廣闊前景,宏微愛賽已率先行動(dòng)。作為宏微科技布局第三代半導(dǎo)體的重要載體,宏微愛賽自成立以來專注于GaN芯片設(shè)計(jì)及器件開發(fā)與應(yīng)用 。目前,公司正針對人形機(jī)器人關(guān)節(jié)電機(jī)的特殊需求,積極開發(fā)高性能GaN器件。憑借在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域多年的技術(shù)積累和研發(fā)實(shí)力,宏微愛賽致力于打造更貼合應(yīng)用場景、性能更卓越的GaN解決方案,為下一代高性能人形機(jī)器人的發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。
未來,宏微科技將持續(xù)深耕GaN等寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢,加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)合作,以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和解決方案賦能更多新興領(lǐng)域,為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)力量!
2025.12.15